（1）額定正向影響平均通過(guò)電流

　　定義：在規(guī)定的環(huán)境進(jìn)行溫度和散熱條件下，允許學(xué)生通過(guò)研究陽(yáng)極和陰極保護(hù)之間的電流平均值。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。

　　（2）維持電流

　　定義：在規(guī)定的環(huán)境溫度、控制極斷開(kāi)的條件下，保證可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的極小正向電流，一般為幾毫安至幾十毫安。

　　（3）控制極觸發(fā)工作電壓和電流

定義:在環(huán)境溫度和一定直流電壓條件下，晶閘管從關(guān)斷到導(dǎo)通和控制極所需的最小直流電壓和電流。

　　一般這種情況下，小功率可控硅觸發(fā)工作電壓范圍約為1 V左右，觸發(fā)一個(gè)電流進(jìn)行零點(diǎn)幾毫安至幾毫安，中功率通過(guò)以上可控硅觸發(fā)信號(hào)電壓質(zhì)量約為幾伏至幾十伏，電流為幾毫安至幾百毫安。

        （4）正向轉(zhuǎn)向電壓

通過(guò)關(guān)斷柵極而施加到陽(yáng)極和陰極的電壓，以引起晶閘管的擊穿。

(峰值反向電阻電壓

這是安全操作的最大電壓。一般來(lái)說(shuō)，可控硅的額定電壓是指峰值電壓。