TRIACprincipium可以在400Hz可控硅以上的頻率下工作。根據電流容量的不同，其導通時間為4~8微秒，關斷時間為10~60微秒。主要用于高頻整流、斬波、逆變和變頻電路中。

　　Fast可控硅(晶閘管)是PNPN的四層三端器件。其符號與普通可控硅(見反向電阻可控硅)相同。它不僅要有良好的靜態特性，尤其是要有良好的動態特性。fast可控硅的動態參數要求開通速度和開通擴展速度快，反向恢復電荷少，關斷時間短，通態電流(d/d)和關態電壓(d/d)的臨界上升率高。臨界導通狀態電流上升速率是指當器件在特定條件下從關斷狀態切換到導通狀態時，不會對可控硅產生有害影響的zui大導通狀態電流上升速率。臨界關斷狀態電壓上升率是指器件在特定條件下不會從關斷狀態變為導通狀態的zui大關斷狀態電壓上升率。Fast可控硅在額定頻率范圍內，其額定電流不隨頻率增加而減小或減小很小。另一方面，當平均值可控硅在400Hz以上時，由于開關損耗隨著頻率的增加而增加，其在總損耗中的比例也隨之增加，因此其額定電流隨著頻率的增加而迅速下降。

　　fast可控硅的結構和工作原理與普通可控硅相同，但在設計和制造中采取了特殊措施，以降低開關消耗的功率。通常采用增加柵陰ji周長和減薄基區厚度的方法來增加初始導通面積，提高d/d電阻，提高擴展速度。陰ji的短路點、不對稱結構、摻雜金和鉑或用電子和快中子輻照可以降低少子壽命，提高d/d容限，減少關斷時間。80年代Fast可控硅已經做到了通態平均電流1000A，耐壓2500V，關斷時間30微秒。

　　一種工作頻率標定明確的fast可控硅稱為高頻可控硅(中國型號為KG)。比如KG50(20kHz)表示高頻管的標稱工作頻率為20kHz，平均通態電流為50a(20kHz時的平均正弦半波電流)。80年代中期，我國已能生產出1~1.2kV耐壓的KG100(20kHz)和KG200(10kHz)高頻可控硅。

　　Fast可控硅采用了特殊的措施，在一定程度上降低了靜態特性(如增加通態壓降)，因此jingxiang于直接工作在頻率更高的大功率電子設備中。為了滿足可控硅在更高頻率下的特殊要求，開發了門輔助關斷可控硅和關斷可控硅。