控硅的存在發展起到很重要的作用，在一些具有特殊教育情況時，就需要將可控硅進行一個串聯或者通過并聯，從而能夠達到設計要求，接下來來說說可控硅串聯和并聯的區別有哪些？

當可控硅額定電壓小于要求時，可以串聯。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。采用可控硅串聯希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。

當晶閘管靜態電壓不均勻時，串聯晶閘管的漏電流相同，但由于靜態伏安特性的分散性，各器件的電壓分布不同。 這是為了選擇參數和特性盡可能與晶閘管一致，利用電阻電壓均衡，Rp電阻應遠小于器件的阻塞電阻、反向電阻。

當晶閘管動態電壓因器件動態參數和特性的不同而不相等時，應盡可能選擇動態參數和特性相同的晶閘管，并用 rc 并聯支路進行動態電壓均衡，采用柵極極強脈沖觸發可以明顯減小器件開啟時間的差異。

與晶閘管串聯不同的是，晶閘管并聯會使并聯的多個器件承受更大的電流，分別由于靜態和動態特性參數的不同，導致電流分配不均勻。此時應盡可能選擇特性參數一致的器件，采用均流電抗器，用極強的門極脈沖觸發也會有助于動態均流。

需要我們注意的是當可控硅需要進行同時通過串聯和并聯時，通常可以采用先串后并的方法聯接。