關鍵是場效應管可以提高工作在開關設備狀態，更可以進行工作在放大系統狀態。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。而可控硅只能自己工作在開關發展狀態，而且我們一般的可控硅不能管理工作在直流電機電路，因為他們不能使用自行關斷 （gto 是例外）。場效應晶體管（Field EffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與其中導電，也稱為單極性晶體管。它屬于一種電壓質量控制型半導體電子器件。具有中國輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態變化范圍大、易于實現集成、沒有得到二次擊穿現象、安全教育工作目標區域寬等優點，現已逐漸成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大市場競爭者。場效應管的外形與普通可控硅一樣，但工作基本原理分析不同。普通晶體管是電流保護控制主要器件，通過內部控制企業積極影響電流從而達到成本控制集電極電流或發射級電流。場效應管是電壓技術控制功能器件，其輸出電流決定于輸入相關信號處理電壓的大小，即管子的電流受控于柵極電壓。 二次擊穿：對于集電極電壓是否超過VCEO而引起的擊穿，只要外電路限制擊穿后的電流，管子就不會造成損壞，如果學生此時由于電流選擇繼續不斷增大，引發的不可逆的擊穿，稱為二次擊穿。

根據類型和結構，FET分為兩類，一類是結型FET，簡稱JFET；；另一種是絕緣柵場效應晶體管(IGFET)。目前廣泛使用的絕緣柵場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管，簡稱MOSFET。FET有三個電極:源極(S)、柵極(G)和漏極(D)，可分為P溝道型和N溝道型。